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비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 산화막 두께비에 따른 전도중심에 대한 문턱전압 의존성
소개글 Publish: Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering Volume 18, Issue11, p2709~2714, 30 Nov 2014
태그
  • 비대칭 이중게이트
  • 문턱전압
  • 전도중심
  • 이온주입범위
  • 분포편차

저작시기 2014-11월

등록일 2016-08-11

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