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HfO2 열처리 온도 및 두께에 따른 RRAM의 전기적 특성

소개글 Publish: Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering Volume 18, Issue3, p663~669, 31 March 2014
태그
  • 저항성 메모리
  • 열처리 온도
  • HfO2 산화층 두께

저작시기 2016-08월

등록일 2016-08-09

파일형식 pdf

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