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10 nm이하 비대칭 이중게이트 MOSFET의 하단 게이트 전압에 따른 터널링 전류 분석
소개글 Publish: Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering Volume 19, Issue1, p163~168, 31 Jan 2015
태그
  • 비대칭 이중게이트
  • 터널링 전류
  • 포아송방정식
  • 하단 게이트 전압
  • WKB 근사

저작시기 2015-01월

등록일 2016-08-05

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