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Forward Current Transport Mechanism of Cu Schottky Barrier Formed on n-type Ge Wafer

소개글 Author: Kim Se Hyun, Jung Chan Yeong, Kim Hogyoung, Cho Yunae, Kim Dong-Wook Publish: Transactions on Electrical and Electronic Materials Volume 16, Issue3, p151~155, 25 June 2015
태그
  • Barrier height
  • Ideality factor
  • Richardson constant

저작시기 2015-06월

등록일 2016-07-20

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